[发明专利]沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010277890.6 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN113517341A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 常虹 | 申请（专利权）人： | 南京紫竹微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 210008 江苏省南京市江北新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法，在半导体基底的沟槽内底部的设有厚氧化层，沟槽侧壁形成沟槽型功率器件的栅氧化层，及在沟槽内沉积形成一个塞状多晶硅栅极，且在厚氧化层上方及多晶硅栅极下方设有第一限制部，及包覆第一限制部的第二限制部。透过第一限制部及第二限制部的存在，在后续工序中将保留第二限制部下方的厚氧化层，从而能降低工艺成本；能在更小深宽比的沟槽中形成良好的TBO(Thick Bottom Oxide)，从而能适用于各种深宽比的沟槽的TBO形成，从而具有较大的使用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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