[发明专利]一种基于纯镍基体致密渗硼层的渗硼剂及其制备方法在审
| 申请号： | 202010279454.2 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111519131A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 邱万奇;刘欢龙;焦东玲;钟喜春;刘仲武 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C23C8/68 | 分类号： | C23C8/68 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 蔡克永 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于金属抗高温氧化腐蚀磨损技术领域，公开了一种基于纯镍基体致密渗硼层的渗硼剂及其制备方法。所述渗硼剂配方为在传统的用碳化硼作供硼剂和氧化铝作填充剂的盛鹏配方中加入1.5～2.0wt％的活性炭作电厂电流稳定剂，配合交流电场辅助催渗作用，在650～800℃范围内可在纯镍基体上制备出40μm以上的渗硼层，渗硼层由Ni |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 基体 致密 渗硼层 渗硼剂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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