[发明专利]顶发射式半导体发光器件在审
| 申请号： | 202010279869.X | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111613708A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | B.J.莫兰;M.A.德桑伯;G.巴辛;N.A.M.斯维格斯;M.M.巴特沃尔思;K.万波拉;C.马泽伊尔 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/50;H01L33/06;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/44;H01L33/56;H01L33/62;H01L25/075;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 江鹏飞;陈岚 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例包括一种半导体结构，包括夹在n型区与p型区之间的发光层。将生长衬底附连到半导体结构。生长衬底具有至少一个成角侧壁。反射层布置在成角侧壁上。从半导体结构和生长衬底提取的大部分光是通过生长衬底的第一表面提取的。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亮锐控股有限公司，未经亮锐控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010279869.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
