[发明专利]同面阵列电容传感器成像方法有效
| 申请号： | 202010280246.4 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111413376B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 潘钊;李鹏程;王姗;温银堂;张玉燕;李瑞航;李宗亮;石沙沙;任萍;王震宇;陈禹伏 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22 |
| 代理公司： | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人： | 张培元 |
| 地址： | 066044 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本申请适用于无损检测技术领域，提供了一种同面阵列电容传感器成像方法，上述同面阵列电容传感器成像方法包括：建立电容传感器和待测物体的三维模型，在三维模型中确定求解区域，并将求解区域划分成有限个求解单元；分别对电容传感器上的每组电极施加循环的点电压激励信号，并计算求解区域的原始敏感场；获取每个求解单元的中心坐标和所有电极对的相对点坐标，并根据求解单元的中心坐标和电极对的相对点坐标确定抗噪声算子；根据原始敏感场和抗噪声算子确定优化敏感场；根据优化敏感场确定介电常数分布矩阵，并以介电常数分布矩阵为灰度值进行成像。上述方法可以解决同面阵列电容传感器成像时噪声影响成像效果的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 电容 传感器 成像 方法 | ||
【主权项】：
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