[发明专利]掩膜版版图的修正方法及掩膜版版图有效
| 申请号： | 202010280503.4 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN113517180B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎;张冬平;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种掩膜版版图的修正方法和掩膜版版图，其中，所述修正方法包括：形成第一掩膜版版图，所述第一掩膜版版图包括若干沿第一方向延伸的第一图形；获取第二掩膜版版图信息，所述第二掩膜版版图信息包括第二掩膜版版图，所述第二掩膜版版图包括沿第二方向延伸的若干第二图形，并且，将所述第一掩膜版版图与所述第二掩膜版版图重叠后，所述第二图形横跨1个以上所述第一图形，所述第二方向与所述第一方向互相垂直；根据所述第二掩膜版版图信息，对若干所述第一图形进行补偿修正。从而，提高了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 版图 修正 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
