[发明专利]具有三维结构的半导体存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010281354.3 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN112447740A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 朴泰成;吴星来;金东赫;丁寿男 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11568;H01L27/11582;H01L27/11556 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具有三维结构的半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：层叠物，其设置在第一基板上方；蚀刻屏障，其包括穿过层叠物并围绕联接区域的多个虚设沟道；以及多个沟道，其在联接区域外部的单元区域中穿过层叠物。层叠物在联接区域内部具有多个第一介电层和多个第二介电层交替地层叠的结构，并且在联接区域外部具有多个第一介电层和多个电极层交替地层叠的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 三维 结构 半导体 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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