[发明专利]一种外围电路及三维存储器有效

专利信息
申请号: 202010282845.X 申请日: 2020-04-08
公开(公告)号: CN111463210B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 许文山;刘威 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/11519 分类号: H01L27/11519;H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/11573;H01L27/11578
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强
地址: 430074 湖北省武汉*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请提供一种外围电路及三维存储器。所述外围电路包括多个阵列排列的半导体器件,在所述外围电路的第二方向上间隔排列的相邻所述半导体器件之间设有底部隔离,以实现相邻所述半导体器件的电隔离,在所述外围电路的第一方向上间隔排列的相邻两排所述半导体器件之间设有连接结构,所述第一方向和所述第二方向垂直,所述连接结构用于连接所述第二方向上相邻所述半导体器件的第一类型阱区。本申请提供的外围电路解决了现有技术中的外围电路一个区域的场效应晶体管之间不能共享一个区域的阱区连接的问题。
搜索关键词: 一种 外围 电路 三维 存储器
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010282845.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top