[发明专利]一种外围电路及三维存储器有效
申请号: | 202010282845.X | 申请日: | 2020-04-08 |
公开(公告)号: | CN111463210B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 许文山;刘威 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11519 | 分类号: | H01L27/11519;H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/11573;H01L27/11578 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请提供一种外围电路及三维存储器。所述外围电路包括多个阵列排列的半导体器件,在所述外围电路的第二方向上间隔排列的相邻所述半导体器件之间设有底部隔离,以实现相邻所述半导体器件的电隔离,在所述外围电路的第一方向上间隔排列的相邻两排所述半导体器件之间设有连接结构,所述第一方向和所述第二方向垂直,所述连接结构用于连接所述第二方向上相邻所述半导体器件的第一类型阱区。本申请提供的外围电路解决了现有技术中的外围电路一个区域的场效应晶体管之间不能共享一个区域的阱区连接的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 外围 电路 三维 存储器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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