[发明专利]非易失性存储器设备的写入方法在审
| 申请号： | 202010284474.9 | 申请日： | 2020-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN111833943A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | A.伯曼 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于写入存储器单元的方法，包括：施加编程电压到目标字线；将待写为第一电阻状态的存储器单元的位线接地；设置未选位线的位线电压；以及设置未选字线的字线电压；施加编程电压到目标位线；将待写为第二电阻状态的存储器单元的字线接地；如果最大电压压降的峰值大于或等于第二值，则将未选字线的字线电压设置为第一值；否则，将字线电压设置为零；以及如果最大电压压降的峰值大于或等于第二值，则将未选位线的位线电压设置为第三值；否则，将位线电压设置为零。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 设备 写入 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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