[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010285914.2 | 申请日： | 2020-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN111834453A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 黎子兰 | 申请（专利权）人： | 广东致能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京威禾知识产权代理有限公司 11838 | 代理人： | 沈超 |
| 地址： | 510530 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法；所述半导体器件包括：第一沟道层；第一势垒层，其在第一沟道层与第一势垒层之间形成第一异质结，在所述第一异质结内形成垂直的2DEG或2DHG；第一成核层，其经配置以用于从异质衬底生成所述第一沟道层，其中，所述第一沟道层位于所述第一成核层的上方；第一电极，其与所述第一异质结的2DEG或2DHG电接触；以及第二电极，其与所述第一异质结的2DEG或2DHG电接触。本发明的半导体器件的导电沟道远离衬底，能够减少衬底对半导体器件耐压的影响，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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