[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
申请号: | 202010285914.2 | 申请日: | 2020-04-13 |
公开(公告)号: | CN111834453A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 黎子兰 | 申请(专利权)人: | 广东致能科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
代理公司: | 北京威禾知识产权代理有限公司 11838 | 代理人: | 沈超 |
地址: | 510530 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法;所述半导体器件包括:第一沟道层;第一势垒层,其在第一沟道层与第一势垒层之间形成第一异质结,在所述第一异质结内形成垂直的2DEG或2DHG;第一成核层,其经配置以用于从异质衬底生成所述第一沟道层,其中,所述第一沟道层位于所述第一成核层的上方;第一电极,其与所述第一异质结的2DEG或2DHG电接触;以及第二电极,其与所述第一异质结的2DEG或2DHG电接触。本发明的半导体器件的导电沟道远离衬底,能够减少衬底对半导体器件耐压的影响,提高器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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