[发明专利]沟槽栅场效应晶体管及存储器有效
| 申请号： | 202010286972.7 | 申请日： | 2020-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN111430463B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 永井享浩 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H10B41/00;H10B43/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽栅场效应晶体管及存储器。通过在栅电极中的第一栅极导电层和第二栅极导电层之间设置隔离薄膜层，以避免第一栅极导电层和第二栅极导电层之间相互干扰，并可以对第一栅极导电层和第二栅极导电层的参数分别进行调整，以提高所构成的栅电极的整体性能。并且，还可以调整第一栅极导电层和第二栅极导电层的耦合表面为凹凸不平的表面，以增加第一栅极导电层和第二栅极导电层之间的耦合面积，提高第一栅极导电层和第二栅极导电层之间的耦合性能，进而确保所构成的栅电极的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 场效应 晶体管 存储器 | ||
【主权项】：
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