[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

本发明为半导体结构的形成方法，包含：形成目标层于基板上；将第一硬遮罩层以及第二硬遮罩层形成目标层上；图案化第二硬遮罩层以形成多个图案化第二硬遮罩，并且此些图案化第二硬遮罩包括第二宽遮罩及第二窄遮罩；形成多个间隙物于第二宽遮罩及第二窄遮罩的侧壁；形成光阻层以覆盖第二宽遮罩的顶面，且光阻层覆盖位于第二宽遮罩的侧壁的一对间隙物的侧表面，并执行刻蚀工艺来移除位于此些间隙物之间的第二窄遮罩；以及移除光阻层，接着通过此些间隙物与第二宽遮罩作为刻蚀遮罩来刻蚀第一硬遮罩层，以形成多个图案化第一硬遮罩于目标层上，其中此些间隙物用以定义第一线宽，第二宽遮罩与形成在第二宽遮罩的侧壁的一对间隙物共同用以定义第二线宽。