[发明专利]一种利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺在审
| 申请号： | 202010289042.7 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN111627804A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李吉;夏利鹏;时宝;顾生刚;杨二存;刘海金;赵小平 | 申请（专利权）人： | 天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 300400 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺，包括：⑴对硅片碱制绒，在硅片正面和背面上形成减反射绒面；⑵将硅片置于炉管中进行热扩散，在硅片正面和背面形成氧化层；⑶保护硅片正面的氧化层，并去除背面PN结和氧化层；⑷对硅片背面的减反射绒面进行抛光，再去除硅片正面上的氧化层。本发明利用热扩散形成的氧化层作为掩膜，实现太阳能电池单面抛光，仅需用碱制绒槽式设备更改工艺配方就可以满足单面抛光要求，产线兼容度高，省去了掩膜工序，可避免SiNx膜的单独清洗及SiNx清洗引入的污染，降低环境污染，减少厂房动力系统的排氮压力，而且不用增加新设备，同时电池正面结构被保留，降低了太阳能电池的加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 保护 太阳能电池 单面 抛光 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津爱旭太阳能科技有限公司，未经天津爱旭太阳能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010289042.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
