[发明专利]一种半导体器件及形成方法

摘要

本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，通过去除第一控制栅结构之间的部分浅沟槽隔离结构以及所述第一控制栅结构下方区域的部分所述浅沟槽隔离结构，在存储单元区的有源区之间形成第一凹槽，之后，在第一堆叠栅结构和半导体衬底上形成具有空隙的介质层。而因为空隙和第一凹槽的介电常数低，因此，本发明实施例的形成方法使得存储单元区的各有源区之间以及各第一堆叠栅结构之间的平均介电常数降低，进而能够降低存储单元区的有源区之间以及第一堆叠栅结构之间的电容，避免编程串扰，提高半导体器件的可循环性。因此，本发明实施例的半导体器件的形成方法能够提高半导体器件的性能。