[发明专利]射频开关在审
| 申请号： | 202010292970.9 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN111917402A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | G·P·威尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频开关。RF开关使用晶体管技术的组合以及拓扑结构来产生在包括高于千兆赫的频率的频率下，具有高的隔离度和高的电压击穿的RF开关。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 开关 | ||
【主权项】：
暂无信息
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