[发明专利]深微导通孔的制作方法在审
| 申请号： | 202010294593.2 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN111417262A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 马洪伟;姜寿福;宗芯如 | 申请（专利权）人： | 江苏普诺威电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K3/02;H05K3/42 |
| 代理公司： | 昆山中际国创知识产权代理有限公司 32311 | 代理人： | 盛建德;张小培 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种深微导通孔的制作方法，包括以下步骤：准备双面覆铜基板；对双面覆铜基板的两张铜箔层进行减铜作业；对两张铜箔层进行镭射开窗作业、形成相对设置的第一窗口和第二窗口；对辅助基板正反两面上并分别与第一窗口和第二窗口相对应的裸露区域共进行三次激光打孔作业，得到孔径＜0.1mm、且孔深≥0.2mm的深微导通孔雏形；对深微导通孔雏形依次进行化学沉铜和电镀工艺处理，以实现在深微导通孔雏形内镀满导通铜，制得深微导通孔。该深微导通孔的制作方法简单、易操作，可有效克服现有诸多加工局限，很好的实现了对孔径＜0.1mm、且孔深≥0.2mm的深微导通孔的加工量产。 | ||
| 搜索关键词： | 深微导通孔 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏普诺威电子股份有限公司，未经江苏普诺威电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010294593.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
