[发明专利]具有硅穿孔结构的半导体组件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010297319.0 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113540028A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 戴国瑞;林健财;康展榕 | 申请（专利权）人： | 瑞峰半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾新竹县湖口*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有硅穿孔结构的半导体组件及其制作方法，具有硅穿孔结构的半导体组件包括：设有多个孔洞贯穿过正面侧的第一表面及背面侧的第二表面的衬底；设置于孔洞内的穿通电极；设置于孔洞的内壁的衬层；设置于穿通电极的第一端面上的多个焊垫；设置于正面侧的第一绝缘层，使得每个焊垫的部分表面暴露出来；第一导电组件覆盖所暴露的焊垫及部分的第一绝缘层；设置于背面侧的第二绝缘层，覆盖位于背面侧的衬层，并使每一个穿通电极的第二端面整个或部分暴露出来；以及设置于穿通电极的第二端面的第二导电组件，延伸覆盖到部分的第二绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿孔 结构 半导体 组件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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