[发明专利]半导体晶圆及其识别方法在审
申请号: | 202010297573.0 | 申请日: | 2020-04-15 |
公开(公告)号: | CN113540035A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 许青波;边恒恒;陈兵录 | 申请(专利权)人: | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 李青 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体晶圆及其识别方法,涉及微电子技术领域,包括衬底、以及间隔设置在所述衬底上的多个器件;多个所述器件之间设置有划片区;所述器件包括功能区和特征识别区,所述特征识别区环绕在所述功能区的外侧;所述特征识别区设置有特征图形,所述特征图形用于被识别,以辅助确定所述划片区和所述器件之间的边界。在半导体晶圆的每个器件的特征识别区设置有特征图形,特征图形用于被激光划片机识别,以使激光划片机能够根据特征图形确定划片区和所述器件之间的边界,能够对半导体晶圆上的多个不同类型的器件自动切割。 | ||
搜索关键词: | 半导体 及其 识别 方法 | ||
【主权项】:
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