[发明专利]一种MOS器件漏电流瞬态采样装置及方法在审
| 申请号： | 202010297758.1 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111398855A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 乔海;张驰;戴明志;李荣;张杰;陈思鲁;杨桂林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | G01R31/52 | 分类号： | G01R31/52;G01R31/26 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件漏电流瞬态采样装置及方法。所述装置包括MOS漏极电流测试电路和MOS漏极电流计算电路，MOS漏极电流测试电路与被测MOS器件的漏极相连，且其输入端接收外部输入的漏极电压Vd，根据该漏极电压Vd，输出采样得到的漏极电流信号Vo；MOS漏极电流计算电路与MOS漏极电流测试电路的输出端双向连接，根据收到的漏极电流信号Vo和被测MOS器件的漏电流级别控制MOS漏极电流测试电路的漏电流采样数量级，且根据收到的漏极电流信号Vo计算得到被测MOS器件的瞬态漏电流值Id。本发明可以在保证漏电流分辨率的同时，测试多种纳安到微安级别漏电流的MOS器件，测试电路成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 漏电 瞬态 采样 装置 方法 | ||
【主权项】：
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