[发明专利]低成本的磁存储磁性复合多层膜在审

专利信息
申请号: 202010297835.3 申请日: 2020-04-16
公开(公告)号: CN111485200A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 王文爽;沈文齐 申请(专利权)人: 蚌埠泰鑫材料技术有限公司
主分类号: C23C14/16 分类号: C23C14/16;C23C14/08;C23C14/34;G11B5/64;H01F41/18
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所 53113 代理人: 汤文旋
地址: 233000 安徽省蚌埠市蚌山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种低成本的磁存储磁性复合多层膜,该低成本的磁存储磁性复合多层膜自下而上依次包括:基片层、第一Fe层、第一Cu层、第二Fe层、第二Cu层、第三Fe层、第三Cu层、第一Ta层、FeSiB层、第一MgO层、FeZrB层、金属W层、FeZrSiB层、第二MgO层以及第二Ta层。本发明提出了一种不包含贵金属的低成本磁记录材料,本申请的原材料来源广泛,不用担心受到资源进出口条例的影响。
搜索关键词: 低成本 存储 磁性 复合 多层
【主权项】:
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