[发明专利]三维闪存及其制作方法

摘要

本申请公开了一种三维闪存及其制作方法，本发明技术方案在存储堆叠结构与衬底之间具有侧墙沟道结构，所述侧墙沟道结构包括第二N型掺杂层以及P型掺杂层，所述第二N型掺杂层位于所述第一N型掺杂层与所述P型掺杂层之间，P型掺杂层用于擦除操作时连接所述衬底内的P型阱区，提供空穴，所述第二N型掺杂层用于提供读操作时的导电通道和用于在编程操作时提供电子，可以实现电子和空穴的独立传输，在读操作过程中，电子通过侧墙沟道结构中上部的第二N型掺杂层传输，极大的降低了对存储堆叠结构中下选择管的要求。