[发明专利]一种晶圆热处理工艺以及晶圆双面电镀工艺在审
| 申请号： | 202010300797.2 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111446165A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;陈政勋;李景贤 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/324;H01L21/02;C25D7/12;C23C18/00 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆热处理工艺以及晶圆双面电镀工艺，属于晶圆加工领域。一种晶圆热处理工艺，包括以下步骤：将所述晶圆一端面与玻璃载板键合在一起；研磨所述晶圆的另一端面，使得所述晶圆薄化；蚀刻所述晶圆中部，使得所述晶圆的形状呈中央薄、边缘厚；对所述晶圆的另一端面依次进行黄光与离子注入工艺；通过雷射或电阻加热或紫外光照射解键合所述玻璃载板，清洗去除键合剂；进行热处理工艺，形成合金的欧姆接触电阻。与现有技术相比，本申请的晶圆双面电镀与热处理工艺，能够有效避免晶圆在热处理工艺或双面电镀工艺中的弯曲变形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热处理 工艺 以及 双面 电镀 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绍兴同芯成集成电路有限公司，未经绍兴同芯成集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010300797.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
