[发明专利]分栅快闪存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010301046.2 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111370414B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 曹启鹏;王卉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种分栅快闪存储器及其制备方法，所述分栅快闪存储器的制备方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有字线栅极以及覆盖所述字线栅极的硬掩模层(SIN层)，所述字线栅极的端面暴露在刻蚀环境中；在所述字线栅极的端面处形成侧墙结构，所述侧墙结构覆盖了所述端面；湿法去除所述硬掩模层。本发明通过在所述字线栅极的端面处形成侧墙结构，所述侧墙结构覆盖了所述端面，避免了后续在湿法去除覆盖所述字线栅极的硬掩模层时，误刻蚀共享字线和控制栅极之间的SIN层导致在端面处出现的共享字线和控制栅极之间空洞的问题，避免了共享字线和控制栅极之间发生短路，进而解决了分栅快闪存储器的失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅快 闪存 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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