[发明专利]III族氮化物半导体的制造方法在审
| 申请号： | 202010302443.1 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN112038222A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 岩泽绫子;冈山芳央;冈本贵敏 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/302;B23K26/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供制造III族氮化物半导体的方法。III族氮化物半导体的制造方法具有如下工序。准备从背面向表面依次层叠有第一III族氮化物层和第二III族氮化物层的III族氮化物基板的工序，所述第一III族氮化物层对于400nm～700nm的规定波长具有60％以上的透射率，所述第二III族氮化物层以1×10 |
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| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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