[发明专利]AlGaInP基发光二极管芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202010303398.1 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111628058A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 肖和平;朱迪;郭磊;葛丁壹;常远 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述AlGaInP基发光二极管芯片还包括设置在所述蓝宝石衬底和所述外延层之间的粗化键合层、以及设置在所述蓝宝石衬底和所述粗化键合层之间的复合键合层，所述复合键合层为Al |
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| 搜索关键词： | algainp 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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