[发明专利]一种深沟槽刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010305632.4 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111584357A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李明;刁宇飞;姚雪霞 | 申请（专利权）人： | 深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 谢曲曲 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种深沟槽刻蚀方法，包括：提供衬底；在衬底上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内具有开口图形，所述开口图形定义出深沟槽的形状及位置；使用包含NF |
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| 搜索关键词： | 一种 深沟 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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