[发明专利]晶圆刻蚀方法在审

专利信息
申请号: 202010305870.5 申请日: 2020-04-17
公开(公告)号: CN113539816A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 张海苗;林源为;崔咏琴;唐希文 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L21/67
代理公司: 北京思创毕升专利事务所 11218 代理人: 孙向民;廉莉莉
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种晶圆刻蚀方法,包括:预刻蚀步骤,刻蚀覆盖有图形化的掩膜层的晶圆,在晶圆的表面形成预设深度的刻蚀槽;氧化刻蚀步骤,对刻蚀槽的底部和侧壁表面进行氧化形成氧化层,刻蚀氧化层,获得光滑的沉积表面;沉积步骤,在光滑的沉积表面沉积聚合物层;刻蚀步骤,对刻蚀槽的底部和侧壁进行刻蚀;重复沉积步骤和刻蚀步骤直至形成目标深度的刻蚀槽。沉积步骤在刻蚀槽的底部和侧壁形成具有平滑界面的氧化层,刻蚀氧化层,获得光滑的沉积表面,有利于后续沉积得到均匀而连续的聚合物层,改善刻蚀工艺的均匀性,刻蚀氧化层还可以扩大刻蚀槽的深宽比,有利于反应物和副产物进出刻蚀槽的深硅结构。
搜索关键词: 刻蚀 方法
【主权项】:
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