[发明专利]晶圆刻蚀方法在审
申请号: | 202010305870.5 | 申请日: | 2020-04-17 |
公开(公告)号: | CN113539816A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 张海苗;林源为;崔咏琴;唐希文 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/67 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种晶圆刻蚀方法,包括:预刻蚀步骤,刻蚀覆盖有图形化的掩膜层的晶圆,在晶圆的表面形成预设深度的刻蚀槽;氧化刻蚀步骤,对刻蚀槽的底部和侧壁表面进行氧化形成氧化层,刻蚀氧化层,获得光滑的沉积表面;沉积步骤,在光滑的沉积表面沉积聚合物层;刻蚀步骤,对刻蚀槽的底部和侧壁进行刻蚀;重复沉积步骤和刻蚀步骤直至形成目标深度的刻蚀槽。沉积步骤在刻蚀槽的底部和侧壁形成具有平滑界面的氧化层,刻蚀氧化层,获得光滑的沉积表面,有利于后续沉积得到均匀而连续的聚合物层,改善刻蚀工艺的均匀性,刻蚀氧化层还可以扩大刻蚀槽的深宽比,有利于反应物和副产物进出刻蚀槽的深硅结构。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
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