[发明专利]沟槽转角处栅氧具有高场强承受力的SiC-MOSFET栅的制备方法在审
| 申请号： | 202010306361.4 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111489961A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 何钧;刘敏 | 申请（专利权）人： | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/16;H01L29/423 |
| 代理公司： | 重庆中流知识产权代理事务所(普通合伙) 50214 | 代理人： | 郭桂林 |
| 地址： | 400700 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 一种沟槽转角处栅氧具有高场强承受力的沟槽型碳化硅MOSFET栅的制备方法，步骤为：1在外延层上表面形成沟槽；2沉积覆盖多晶硅或非晶硅SiC外延层并填充满沟槽；3对外延层上表面进行平坦化处理；4保留沟槽底部的多晶硅或非晶硅；5在沟槽底部的多晶硅或非晶硅、裸露的沟槽侧壁和外延层上表面沉积SiN硬质掩蔽层；6保留沟槽侧壁的SiN硬质掩蔽层；7高温氧化沟槽底部的多晶硅或非晶硅；8刻蚀沟槽侧壁的SiN硬质掩蔽层；9高温氧化沟槽侧壁裸露的SiC。采用本发明的制备方法，利用在沟槽转角处沉积多晶硅后再氧化，形成局部二氧化硅的加厚，增加了沟槽转角处承受电场的能力，解决了现有技术中沟槽型SiC‑MOSFET栅沟槽侧壁和沟槽底部交角处栅氧承受场强过大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 转角处 具有 场强 承受力 sic mosfet 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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