[发明专利]功率半导体在审
| 申请号： | 202010307253.9 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111863741A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 柯作同;柯心睿;廖光明;廖振宇 | 申请（专利权）人： | 柯作同;柯心睿;廖光明;廖振宇 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/48;H01L23/485;H01L23/492 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的功率半导体包括一闸极、一源极、一硅芯片及一汲极。其中，源极包括一第一铜颗粒层及一第一金属层，第一铜颗粒层覆盖第一金属层的上方表面。硅芯片接合于第一金属层的下方表面。汲极接合于硅芯片的下方表面。其中，第一铜颗粒层的厚度大于第一金属层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 | ||
【主权项】：
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