[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202010307343.8 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111933717A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 柯振伟;曾峥;黄圣懿 | 申请（专利权）人： | 联发科技(新加坡)私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 新加坡138628*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体基板、被形成在半导体基板中的N型阱区、位于在N型阱区上方的FDSOI晶体管、在N型阱区上方的第一浅沟槽隔离(STI)区、在N型阱区上方的第一N型掺杂区、在半导体基板上方的第二STI区、在半导体基板上方的第一P型掺杂区，以及，在第一P型掺杂区上方的第一互连组件。第一P型掺杂区通过第二STI区与第一N型掺杂区分开。第一互连组件被配置为将第一P型掺杂区连接到地。没有互连组件被形成在第一N型掺杂区的上方，使得第一N型掺杂区和N型阱区是浮置的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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