[发明专利]二极管制备方法及二极管在审
| 申请号： | 202010308038.0 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111489957A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李兵;葛宜威 | 申请（专利权）人： | 山东星合明辉电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 孟雪 |
| 地址： | 261500 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二极管制备方法及二极管，它属于二极管技术领域，包括以下步骤：在原料的表面涂敷保护层；去除部分保护层，使剩余的保护层在原料的表面形成图形；腐蚀未覆盖保护层的原料的表面，形成若干独立的芯片晶粒；清除芯片晶粒的表面的保护层；在芯片晶粒的表面焊接电极；使用去离子水清洗芯片晶粒，对芯片晶粒的侧面的腐蚀区域上胶，经钝化、固化后，形成成品；本发明中对的原料的浸泡腐蚀在焊接电极工序之前，在焊接电极工序中引入的焊锡、铜电极或镀银电极等重金属材料，在后续的清洗过程中，不会从原子状态，变为游离状态，从而不会在生产过程中出现重金属离子污染，充分的保护了PN结，保证了二极管产品的电参数性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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