[发明专利]带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管有效
| 申请号： | 202010311264.4 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111640781B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 任娜;刘旺;黄治成;李宛曈 | 申请（专利权）人： | 元山（济南）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 刘德顺 |
| 地址： | 250118 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管，包括：第二导电区域，其中，所述第二导电区域由元胞和等离子体扩散层构成；所述等离子体扩散层包括多条条形结构的等离子扩散通道，所述等离子扩散通道用于连接所述多个构成第二导电区域元胞中的部分元胞，以使器件在承受浪涌电流冲击的情况下产生的等离子体通过所述等离子扩散通道均匀的扩散到器件表面。本发明通过设计等离子体扩散层，将多个独立的元胞结构连接起来，使得器件在受到浪涌大电流冲击的情况下，器件内部的电流以及产生的热量可以均匀地扩散到整个器件的各个区域，有效地防止器件发生局部过热造成器件损坏，从而提高器件的抗浪涌电流能力，增强器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 等离子体 扩散 复合 pin 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于元山（济南）电子科技有限公司，未经元山（济南）电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010311264.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
