[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202010311490.2 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420835A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李健玮;宋学昌;李彦儒;林俊池;徐梓翔;杨丰诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 此处提供半导体装置与半导体装置的形成方法，且半导体装置包括的源极/漏极区具有V形下表面并延伸于与栅极堆叠相邻的栅极间隔物之下。在一实施例中，方法包括形成栅极堆叠于鳍状物上；形成栅极间隔物于栅极堆叠的侧壁上；由非等向的第一蚀刻工艺蚀刻鳍状物，以形成与栅极间隔物相邻的第一凹陷；由第二蚀刻工艺蚀刻鳍状物，以自第一凹陷移除蚀刻残留物，且第二蚀刻工艺与第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同；由非等向的第三蚀刻工艺蚀刻第一凹陷的表面以形成第二凹陷，第二凹陷延伸至栅极间隔物之下且具有V形下表面，且第三蚀刻工艺与第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同；以及外延形成源极/漏极区于第二凹陷中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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