[发明专利]抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法有效
申请号: | 202010312078.2 | 申请日: | 2020-04-20 |
公开(公告)号: | CN111508839B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 吴素贞;徐政;徐海铭;洪根深;赵文彬;吴建伟;谢儒彬 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | H01L21/335 | 分类号: | H01L21/335;H01L29/06;H01L29/778 |
代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨立秋 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明公开一种抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法,属于功率开关器件技术领域。提供外延基片,在所述外延基片上形成AlN成核层和GaN缓冲层;在所述GaN缓冲层上制作选区背势垒埋层;继续外延生长非掺杂GaN沟道层、Al |
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搜索关键词: | 粒子 失效 高压 增强 gan 功率 hemt 器件 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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