[发明专利]一种中小型磁偏转电子束蒸发源磁路结构构建方法有效

专利信息
申请号: 202010312149.9 申请日: 2020-04-20
公开(公告)号: CN111611733B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 阿力甫·库提鲁克;李浩;梅新灵;谢斌平 申请(专利权)人: 费勉仪器科技(上海)有限公司
主分类号: G06F30/23 分类号: G06F30/23;G06F30/17;C23C14/30
代理公司: 上海国瓴律师事务所 31363 代理人: 傅耀
地址: 201900 上海市宝*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种中小型磁偏转电子束蒸发源磁路结构构建方法,其特征在于:初始化L、α、△L、△α:判断L是否大于Lmax,若大于,结束;判断α是否大于αmax,若大于,结束;将L、α导入模拟器中;所述模拟器输出电子束轨道;判断所述电子束轨道是否满足结束条件;调整L、α的值;将L、α导入模拟器中;所述模拟器输出电子束轨道;判断所述电子束轨道是否满足结束条件,若未满足继续调整L、α的值,直到满足结束条件,输出L和α。本发明公开的磁路结构构建方法通过提高能量效率和空间利用率最终实现高性能中小型磁偏转电子束源。
搜索关键词: 一种 中小型 偏转 电子束 蒸发 磁路 结构 构建 方法
【主权项】:
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