[发明专利]半导体腔室及其进气结构有效
| 申请号： | 202010312182.1 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111489948B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 崔咏琴;张宝辉 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/16 | 分类号： | H01J37/16;H01J37/30;H01J37/305;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体腔室及其进气结构，该进气结构包括设置在所述半导体腔室的腔室壁中的通孔和设置在所述通孔中的柱塞件，所述柱塞件的外周壁与所述通孔的孔壁之间形成缓冲腔和环形孔隙，其中，所述缓冲腔与所述半导体腔室的进气管路连接；所述环形孔隙的两端分别与所述缓冲腔和所述半导体腔室的内部相连通。应用本发明，提高了单位时间内的进气量，在工艺过程中进行气体切换时，可以实现快速进气，且气流更加分散和稳定，可以避免引发灭辉的现象，继而可以达到工艺过程中快速切换工艺气体的工艺需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 结构 | ||
【主权项】：
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