[发明专利]一种高性能DFB激光器结构及其生长方法在审
| 申请号： | 202010312648.8 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111404026A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 单智发;张永;陈阳华;姜伟;方天足 | 申请（专利权）人： | 全磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/323;H01S5/343;C23C14/06;C23C14/28;C23C16/30;C23C16/44;C23C28/04 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种高性能DFB激光器结构，包括InP基底，在所述InP基底上从下而上依次采用MOCVD沉积的N‑InP缓冲层、N‑AlInAs外延层、N‑AlGaInAs波导层、AlGaInAs MQW、P‑AlGaInAs波导层、P‑AlInAs限制层、P‑InP限制层、光栅层、InGaAsP势垒过度层、InGaAs欧姆接触层；在所述N‑InP缓冲层与所述N‑AlInAs外延层中间插入一层N‑InAlAsP；本方案设计的一种高性能DFB激光器结构，在N‑InP缓冲层与N‑InAlAs外延层中间插入一层N‑InAlAsP，可以获得高制量的MQW，提高激光器的可靠性，同时还能平滑N‑InP缓冲层与N‑InAlAs外延层之间的导带能阶差，减小DFB激光器的电阻，提高DFB激光器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 dfb 激光器 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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