[发明专利]一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法有效
| 申请号： | 202010313159.4 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111490094B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 廖远宝;洪根深;吴建伟;徐政;吴锦波;徐海铭 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L27/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法，属于半导体功率器件技术领域。在N型外延片生长氧化层、淀积氮化硅层和TEOS层，挖出若干个Trench结构；在Trench结构中制作一层氧化层，并填充掺杂N型多晶硅；对Trench结构中多晶硅进行刻蚀，再将有源区Trench结构侧壁的上部分氧化层去除掉；在Trench结构中填充介质，研磨外延片至表面平坦，使氮化硅层和氧化硅处于同一平面；形成保护二极管结构并实现P型掺杂；分离栅底部结构和保护二极管结构；完成栅极引出，阱工艺和源区引出；通过光刻和腐蚀实现通孔引出和金属互联。本发明基于目前低功耗分离栅Trench DMOS产品结构，把ESD保护结构集成在栅源两极之间，在满足使用中对功耗要求外，又保证器件性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 esd 保护 结构 trench 分离 dmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所，未经中国电子科技集团公司第五十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010313159.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体腔室及其进气结构
- 下一篇：一种可拆式高压绝缘子组件
- 同类专利
- 专利分类
