[发明专利]光器件层的移设方法在审
| 申请号： | 202010315789.5 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111834278A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 小柳将 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供光器件层的移设方法，将光器件层移设，在进行激光剥离时，能够抑制光器件向移设部件的转移率降低。将光器件层移设的移设方法包含移设部件接合步骤、缓冲层破坏步骤、光器件层转移步骤、粘接剂去除步骤以及光器件层移设步骤。在移设部件接合步骤中，将光器件晶片和移设部件借助粘接剂而接合，在光器件晶片的被分割成芯片尺寸的光器件层与光器件层之间的间隙中填充粘接剂。在粘接剂去除步骤中，将填充至光器件层与光器件层之间的间隙中的粘接剂的至少一部分去除，以使得通过移设部件接合步骤而埋设于粘接剂层的光器件层从粘接剂层突出。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
