[发明专利]包括低K介电层的半导体芯片在审
| 申请号： | 202010316950.0 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN112420644A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李瑌真;卢晙镛;崔慜贞;韩正勋;赵允来 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张逍遥;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体芯片，该半导体芯片包括：器件层，位于基底上，器件层包括多个半导体器件；布线结构和下布线间介电层，均位于器件层上，下布线间介电层围绕布线结构并且具有比氧化硅的介电常数低的介电常数；上布线间介电层，布置在下布线间介电层上；隔离凹陷，沿着基底的边缘布置，隔离凹陷形成在下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面上，并且具有处于等于或低于下布线间介电层的底表面的水平的水平的底表面；以及覆盖介电层，覆盖下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面以及隔离凹陷的底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 介电层 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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