[发明专利]硒化镓/二硫化锡异质结膜电控太赫兹强度调制器件有效

专利信息
申请号: 202010317242.9 申请日: 2020-04-21
公开(公告)号: CN111552098B 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 柴路;刘伟宁;宋琦;陈骏祺;胡明列 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G02F1/015 分类号: G02F1/015;G02F1/017
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明属于太赫兹技术领域领域,为调制器件结构简单,调制度大,灵敏度高。为此,本发明采取的技术方案是,硒化镓/二硫化锡异质结膜电控太赫兹强度调制器件,包括GaSe/SnS2异质结膜、附加电极、主动控制直流电源、线性偏振的THz源,线性偏振的THz源生成的太赫兹波入射到GaSe/SnS2异质结薄膜,GaSe/SnS2异质结膜为在硅酸盐玻璃衬底上采用液相剥离方法或者化学气相沉积CVD方法制备,形成单分子层或者少分子层的结构;主动控制直流电源通过附加电极,以垂直于太赫兹波偏振方向对GaSe/SnS2异质结薄膜施加调制电压。本发明主要应用于太赫兹强度调制器件设计制造场合。
搜索关键词: 硒化镓 硫化 锡异质 结膜 电控太 赫兹 强度 调制 器件
【主权项】:
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