[发明专利]一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法有效
| 申请号： | 202010317961.0 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111554354B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 郭红霞;张鸿;潘霄宇;周益春;张凤祁;张晋新;琚安安;钟向丽;廖敏 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G16C10/00 | 分类号： | G16C10/00;G16C20/10;G16C60/00 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法，包括：基于碳化硅二极管的基本结构和材料组成，通过Geant4构建碳化硅二极管的仿真模型，并在Geant4中设定偏置电场的大小和入射粒子的种类、能量；在Geant4中进行仿真模拟：将入射粒子射入碳化硅二极管，模拟不同偏置电场下入射粒子在碳化硅二极管内的粒子运动轨迹及碳化硅二极管的初始缺陷损伤分布；基于仿真模型和初始缺陷损伤分布，通过TCAD软件模拟碳化硅二极管的缺陷损伤演化过程，以分析缺陷损伤对碳化硅二极管的电学性能的影响。揭示偏置电场与辐射损伤的相互作用关系，对碳化硅器件的辐射效应机理分析和可靠性评估提供了技术基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏置 电场 离子 辐射 碳化硅 二极管 损伤 分析 方法 | ||
【主权项】：
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