[发明专利]一种二维晶体的生长方法在审
| 申请号： | 202010320284.8 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111519254A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 邓贞宙;周凯 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | C30B29/64 | 分类号： | C30B29/64;C30B29/12;C30B7/00 |
| 代理公司： | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人： | 夏军 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体制备技术领域，特别是涉及一种二维晶体的生长方法。该种方法包括制膜、通气氛和扩面等步骤，在制膜的过程中需要在原溶剂中添加表面活性物质以减小溶剂的表面张力，而在通气氛过程中则需要充入气态的与原溶剂不相容的溶剂以使得晶体更容易析出。这种二维晶体的生长方法，不需要放置在器皿中进行培养，所以减少了与器皿中的其他物质接触的机会，生成的晶体杂质少，纯度高，同时因为生长晶体的工具可以任意改变大小，从而可生长出面积可控的二维晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
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