[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010320880.6 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN112242356A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 时定康;陈振隆;蔡邦彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置及其制造方法。根据本公开的一种制造方法包括提供工件，工件包括第一源极/漏极区在第一装置区中，及第二源极/漏极区在第二装置区中，在第一源极/漏极区及第二源极/漏极区上沉积介电层，在介电层中形成第一导孔开口以露出第一源极/漏极区，并在介电层中形成第二导孔开口以露出第二源极/漏极区，退火工件以在露出的第一源极/漏极区上形成第一半导体氧化物部件，并在露出的第二源极/漏极区上形成第二半导体氧化物部件，去除第一半导体氧化物部件以露出在介电层中第一导孔开口中的第一源极/漏极区，以及选择性地在露出的第一源极/漏极区上形成第一外延部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
