[发明专利]一种基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板有效
申请号: | 202010321109.0 | 申请日: | 2020-04-22 |
公开(公告)号: | CN111370437B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 郑志威;尚宗伟;马俊;刘伟东 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人: | 高巍 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板,包括:衬底、光电探测阵列和设置于同一衬底上的显示驱动阵列和TFT信号读写及处理电路阵列;所述显示驱动阵列和TFT信号读写及处理电路阵列的结构单元由N沟道和/或P沟道的第一TFT结构单元组成;所述光电探测阵列,包括成阵列分布的光电探测单元,所述光电探测单元由P沟道的第二TFT结构单元组成,形成于TFT信号读写及处理电路阵列上,并通过互连金属和信号读取单元连接,第二结构单元没有第一结构单元中的钝化层。本发明将蓝光探测、显示驱动、TFT读写电路和TFT信号处理电路等多种应用高度集成,基于同种材料、同种器件结构,将极大简化工艺步骤,降低制造成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 金属 氧化物 薄膜晶体管 集成 探测 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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