[发明专利]电压位准偏移设备在审
| 申请号： | 202010321353.7 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN112530480A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 桑吉夫·库马尔·甄恩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于SRAM元件的电压位准偏移器包括位准偏移器输入并提供第二电压位准。电压输入端子接收处于第一电压位准的第一信号，并且反相器具有输入端和输出端，其中该电压输入端子连接到反相器输入端。当互补位准偏移输出电压的电压上升到逻辑1时，第一电压选择器选择性地施加中间电压到第一互补对中的PMOS晶体管的栅极，并且当位准偏移输出电压节点的电压上升到逻辑1时，第二电压选择器施加该中间电压到第二互补对中的PMOS晶体管的栅极。由此减小了PMOS晶体管的电流，从而导致较低的能量耗散并支持第一和第二电压位准之间更大的电压分离。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 偏移 设备 | ||
【主权项】：
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