[发明专利]一种高价态金属原子可控掺杂羟基氧化钴及其制备方法与应用在审
申请号: | 202010323139.5 | 申请日: | 2020-04-22 |
公开(公告)号: | CN113546637A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 邓德会;唐雷 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | B01J23/888 | 分类号: | B01J23/888;C25B11/091;C25B1/04 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 毛薇;李馨 |
地址: | 116000 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: |
本发明公开了一种高价态金属可控掺杂羟基氧化钴的及其制备方法与应用。具体地说,该方法利用含有钴源的沸石咪唑酯骨架‑67(ZIF‑67)作为模板,再通过水热反应将钼酸盐和钨酸盐引入到在模板上原位生长的羟基氧化钴中,即得到目标产物。该方法所制备的材料具有规整均一的立方体空心框架结构,整个框架结构是由许多二维层状羟基氧化物相互交联而成,钼(Mo |
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搜索关键词: | 一种 高价 金属 原子 可控 掺杂 羟基 氧化钴 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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