[发明专利]自对准双重成像技术在审
| 申请号： | 202010324843.2 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111477541A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 杨然富;张弛;邓娟娟 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及自对准双重成像技术，涉及半导体制造技术，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成硬掩膜层，在硬掩膜层上形成非晶半导体条形结构，并形成第一介质层，第一介质层覆盖在非晶半导体条形结构的顶部表面、侧面以及非晶半导体条形结构之间的硬掩膜层表面；对第一介质层进行全面刻蚀并形成由仅位于非晶半导体条形结构的侧面的第一介质层组成的侧墙；形成第二介质层，第二介质层覆盖非晶半导体条形结构、侧墙和硬掩膜层的顶部表面以及侧墙的侧面；进行以侧墙为停止层的平坦化工艺；以及去除侧墙并形成由第二介质层和非晶半导体条形结构组成的图形，而由侧墙形成沟渠，沟渠之间结构组成图形，而实现小沟渠大线宽的图案，且沟渠宽度可调。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 双重 成像 技术 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
