[发明专利]一种GaN基HEMT器件有效
| 申请号： | 202010325595.3 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111490101B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;王方洲;许晓锐;孙瑞泽;信亚杰;夏云;刘超;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种GaN基HEMT器件。本发明的主要方案是在器件的缓冲层中引入了与源极相连的具有P型掺杂的电荷存储层。在器件关断时，P型掺杂的电荷存储层中的净负电荷可以有效地加速二维电子气的耗尽，从而减小了关断时间以使器件具有较低的关断损耗。在器件开启时，P型掺杂的电荷存储层中净负电荷量的减小有助于二维电子气的恢复，进而减小了开启时间来使器件具有较低的开启损耗。因此，本发明具有极低的开关损耗，可用于低功耗功率开关应用中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
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