[发明专利]半导体器件及其铝膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010326225.1 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113549875B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 归剑;王海红 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/22;C23C14/54;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其铝膜的制备方法，制备方法包括：提供一晶圆；对所述晶圆进行预设时间段的预加热，以将所述晶圆的工艺温度达到预设温度；对预加热后的所述晶圆进行溅射工艺；以及，在所述晶圆上进行淀积，以形成所述铝膜。本发明有效地提升了厚铝工艺中控制工艺温度的稳定性，极大地减少了雾面残渣等缺陷，从而极大地提升了半导体器件产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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