[发明专利]半导体沉积工艺补偿方法、补偿装置及半导体沉积设备有效
| 申请号： | 202010328092.1 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111519160B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 曹光英 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体沉积工艺补偿方法、补偿装置及半导体沉积设备，其中，沉积工艺补偿方法包括：步骤1：在执行当前工艺步骤前，判断是否需要对当前工艺步骤的工艺参数值进行参数补偿，若是，则获取当前的靶材消耗值，并根据预置的多个靶材消耗值以及每个靶材消耗值对应的参数补偿值，计算出补偿后的工艺参数值；步骤2：根据补偿后的工艺参数值，执行当前工艺步骤；其中，参数补偿值包括以下至少之一：沉积时间补偿值、靶基距离补偿值、溅射功率补偿值。本发明的有益效果在于，用户可自由选择单独开启时间补偿、溅射功率补偿或靶基距离补偿，也可以同时开启其中任意两种，或三种方式共同开启，并在每个工艺配方的步骤中灵活配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 沉积 工艺 补偿 方法 装置 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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